GaN 파워 디바이스란? GaN은 화합물 반도체의 일종으로, 이러한 GaN을 사용한 트랜지스터가 GaN HEMT라고 하는 파워 디바이스입니다. 현재 반도체 재료로서 주로 사용되는 Si에 비해, 도통 손실이 적고 (낮은 ON 저항), 고속 스위칭 성능이 우수하여, 전력 변환 효율의 향상이나 소형화의 시장 요구에 대응하는 파워 디바이스입니다.
GaN이란? GaN (Gallium Nitride : 질화 갈륨)은 Ga (갈륨)와 N (질소)의 원소로 구성되는 화합물 반도체 재료입니다. 화합물 반도체란, 반도체의 일종으로 2가지 이상의 원소가 결합하여 구성된 반도체입니다.
GaN HEMT란? GaN HEMT의 HEMT란, High Electron Mobility Transistor의 약자로, 고전자 이동도 트랜지스터입니다. 고전자 이동도 트랜지스터는 높은 전자 이동도를 지닌 반도체 재료를 사용한 트랜지스터로, 고속 스위칭 (고주파 동작)이 가능해집니다.
GaN 파워 디바이스를 완벽하게 사용하는 방법 GaN HEMT의 고속 스위칭 성능을 최대화시키기 위해서는, 완벽하게 사용하기 위한 기술이 중요합니다. 구체적으로는 초고속 구동 게이트 드라이버 IC 및 고속 펄스 제어에 대응하는 컨트롤러 IC가 필요합니다.
