2020.04.08
키 포인트
・Sub-circuit 모델에는 디바이스 모델의 복합 타입 이외에 수식을 사용한 모델도 있다.
・디바이스 특성에 따라 수식을 조정할 수 있으므로 재현성이 높다.
・모델이 복잡하기 때문에, 시뮬레이션 시간이 길어지거나, convergence error가 발생하기 쉽다.
이번에는 수식을 사용한 Sub-circuit 모델에 대해서 설명하겠습니다. 앞서 설명한 디바이스 모델을 조합한 Sub-circuit 모델 이외에, 수식을 사용한 Sub-circuit 모델이 있다는 것을 기억해 주십시오.
수식을 사용한 Sub-circuit 모델
Sub-circuit 모델에는 수식 특성을 나타냄으로써 디바이스 특성을 나타내는 것도 있습니다. 「MOSFET 예 – 제1장, 제2장」에서 설명한 「MOSFET의 Sub-circuit 모델」은 기본적으로 디바이스 모델의 조합으로 구성되어 있지만, 본 편에서 설명할 타입은 수식으로 구성되어 있습니다. 하기는 수식을 사용한 타입의 SiC-SBD (쇼트키 배리어 다이오드)의 Sub-circuit 모델과, 앞서 설명한 MOSFET의 Sub-circuit 모델의 예를 비교한 것입니다. 기술 (記述)의 상세 내용은 생략하였지만, 두가지의 차이점은 이해가 될 것입니다.
수식을 사용한 Sub-circuit 모델은 디바이스의 특성에 따라 수식을 조정할 수 있으므로, 재현성이 높다는 특징이 있습니다. 그러나, 모델이 복잡하기 때문에 시뮬레이션 시간이 길어지거나, convergence error가 발생하기 쉽다는 단점이 있습니다.
기술 자료 및 셀렉션 가이드 등 다운로드 자료를 구비하고 있습니다.
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