AC-DC|설계편
SiC-MOSFET를 사용한 절연형 의사 공진 (Quasi-Resonant) 컨버터의 설계 사례
2020.11.11
키 포인트
・의사 공진 (Quasi-Resonant) 방식의 절연형 AC-DC 컨버터의 설계 사례.
・파워 스위치에는 SiC-MOSFET를 이용한다.
AC-DC 컨버터 설계편의 새로운 테마로서 「SiC-MOSFET를 사용한 절연형 의사 공진 (Quasi-Resonant) 컨버터의 설계 사례」를 시작하겠습니다. 본 테마에서는 지금까지 다루었던 「플라이백 방식」과 「포워드 방식」에 이어 「의사 공진 (Quasi-Resonant) 방식」의 전원 IC를 이용한 절연형 AC-DC 컨버터의 설계 사례에 대해 다루겠습니다.
본 설계 사례에서는 파워 스위치에 SiC (Silicon Carbide : 실리콘 카바이드) MOSFET를 사용합니다. SiC는 Si 반도체 대비 저손실로 고온 환경에서의 동작 특성이 우수한 신세대 반도체 재료입니다. SiC 반도체라고 하면 매우 큰 전력을 취급하는 특수한 어플리케이션을 떠올리는 분도 있겠지만, 생활 주변의 많은 어플리케이션에서 에너지 절약과 소형화에 기여할 수 있습니다. SiC 반도체는 이미 실용 영역에 들어와 있으며, 품질 신뢰성 요구가 까다로운 자동차기기에도 탑재되고 있습니다. SiC 파워 디바이스의 자세한 사항에 대해서는 Tech Web 기초 지식의 SiC 편을 참조하여 주십시오.
본 테마에서는 하기 항목의 순서로 설명할 예정입니다.
<SiC-MOSFET를 사용한 절연형 의사 공진 (Quasi-Resonant) 컨버터의 설계 사례>
- 설계에 사용하는 IC
- 트랜스 설계
- 주요 부품 선정
- EMI 대책
- 출력 노이즈 대책
- 레이아웃 안
- 평가
하기 사진은 이번 설계 사례를 통해 완성될 AC-DC 컨버터입니다. 참고로 전원용 IC는 이면의 적색으로 표시한 부분, SiC-MOSFET는 표면의 주황색으로 표시한 부분에 실장되어 있습니다.
전원용 IC : BD7682FJ, SiC-MOSFET : SCT2H12NZ를 사용한 절연형 의사 공진 AC-DC 컨버터의 예
다음 편에서는 설계에 사용하는 전원 IC와 의사 공진 타입에 대해 설명하겠습니다.
AC-DC
기초편
- AC-DC의 기본
- 평활 후의 DC-DC 변환 (안정화) 방식이란?
- AC-DC 변환 회로 설계 순서 (개요)
- AC-DC 변환 회로 설계의 과제와 검토 사항
- 정리
- 플러스 알파의 기초 지식
설계편
-
AC-DC PWM 방식 플라이백 컨버터의 설계 방법 개요
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 스위칭 AC-DC 변환
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 플라이백 컨버터의 특징
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 플라이백 컨버터의 동작과 스너버
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 불연속 모드와 연속 모드
- 전원 사양 결정
- 설계 순서
- 설계에 사용할 IC의 선택
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (수치 산출)
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (구조 설계) -제1장-
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (구조 설계) -제2장-
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:주요 부품 선정 – MOSFET 관련 제1장
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:주요 부품 선정 – MOSFET 관련 제2장
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:주요 부품 선정 – CIN과 스너버
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : 주요 부품 선정 – 출력 정류기와 Cout
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : 주요 부품 선정 – IC의 VCC 관련
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : 주요 부품 선정 – IC의 설정, 기타
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : EMI 대책 및 출력 노이즈 대책
- 기판 레이아웃 예
- 정리
- AC-DC 비절연형 벅 컨버터의 설계 사례 개요
-
SiC-MOSFET를 사용한 절연형 의사 공진 (Quasi-Resonant) 컨버터의 설계 사례
- 설계에 사용하는 전원 IC : SiC-MOSFET용으로 최적화
- 설계 사례 회로
- 트랜스 T1의 설계 -제1장-
- 트랜스 T1의 설계 -제2장-
- 주요 부품 선정 : MOSFET Q1
- 주요 부품 선정 : 입력 콘덴서 및 밸런스 저항
- 주요 부품 선정 : 과부하 보호 포인트의 전환 설정 저항
- 주요 부품 선정 : 전원 IC의 VCC 관련 부품
- 주요 부품 선정 : 전류 검출 저항 및 각 검출용 단자 관련 부품
- 주요 부품 선정 : EMI 및 출력 노이즈 대책 부품
- 기판 레이아웃 예
- 주요 부품 선정 : 전원 IC의 BO (브라운 아웃) 핀 관련 부품
- 사례 회로와 부품 리스트
- 평가 결과 : 효율과 스위칭 파형
- 정리
- 주요 부품 선정 : 출력 정류 다이오드
- 주요 부품 선정 : 스너버 회로 관련 부품
- 주요 부품 선정 : 출력 콘덴서, 출력 설정 및 제어 부품
- 주요 부품 선정 : MOSFET 게이트 구동 조정 회로
-
AC/DC 컨버터의 효율을 향상시키는 2차측 동기정류 회로의 설계
- 동기정류 회로부 : 주변 회로 부품 선정 - MAX_TON 단자의 C1과 R3, 및 VCC 단자
- 션트 레귤레이터 회로부 : 주변 회로 부품 선정
- 설계 순서
- 설계에 사용하는 IC
- 전원 사양과 대체 회로
- 동기정류 회로부 : 동기정류용 MOSFET 선정
- 동기정류 회로부 : 전원 IC 선택
- 동기정류 회로부 : 주변 회로 부품 선정 - 드레인 단자의 D1, R1, R2
- 트러블 슈팅 ① : 2차측 MOSFET가 갑자기 OFF되는 경우
- 트러블 슈팅 ② : 경부하 시 2차측 MOSFET가 공진 동작으로 인해 ON되는 경우
- 트러블 슈팅 ③ : 서지의 영향으로 VDS2가 2차측 MOSFET의 VDS 내압 이상이 되는 경우
- 다이오드 정류와 동기정류의 효율 비교
- 실장 기판 레이아웃에 관한 주의점
- 정리
평가편
제품 정보