AC-DC|설계편
트랜스 T1의 설계 -제2장-
2020.12.09
키 포인트
・트랜스 T1의 코어 사이즈, 1차측 인덕턴스, 각 권선수를 순서대로 계산한다.
・설계편 제1탄의 「절연형 플라이백 컨버터 회로 설계」와 거의 동일한 개념으로 산출할 수 있다.
「트랜스 T1의 설계 -제1장-」에서는 하기 산출 방법의 ①~③까지 설명했습니다. 이번에는 제2장으로서 ④~⑥에 대해 설명하겠습니다.
- ①플라이백 전압 VOR의 설정
- ②1차측 권선 인덕턴스 Lp, 1차측 최대 전류 Ippk의 산출
- ③트랜스 사이즈 결정
- ④1차측 권선수 Np의 산출
- ⑤2차측 권선수 Ns의 산출
- ⑥VCC 권선수 Nd의 산출

트랜스 설계를 위해 도출해야 하는 파라미터는 「코어 사이즈」, 「Lp의 인덕턴스」, 「Np/Ns / Nd의 권선」입니다. 「제1장」에서는, 「코어 사이즈」와 「Lp의 인덕턴스」를 산출하였습니다.
트랜스 설계에 필요한 파라미터
| 트랜스 코어 사이즈 | EFD30 (또는 호환품) |
|---|---|
| Lp (1차측 권선 인덕턴스) | 1750µH |
| Np (1차측 권선수) | ④ |
| Ns (2차측 권선수) | ⑤ |
| Nd (VCC 권선수) | ⑥ |
T1에 부여되는 조건은 출력 24V 1A, VIN (DC)=300V~900V입니다.
회로도는 필요에 따라 본 링크 (클릭)를 참조하여 주십시오.
④1차측 권선수 Np의 산출
4번째로, 1차측 권선수 Np를 산출합니다. 일반적인 페라이트 코어의 자속 밀도 B (T)의 최대치는 100℃에서 0.4T이므로, Bsat=0.3T로 합니다.
자기 포화를 일으키지 않도록, AL-Value-NI 특성을 확인하여, 포화되지 않는 영역에서 사용해야 합니다. 확인 시에는 AL-Value-NI 특성 그래프를 이용합니다.

예를 들어, Np=50turn으로 하면,
상기와 같은 결과로, 포화 영역에 포함됩니다.
이 포화 영역에 포함되지 않도록 1차 권선수를 설정합니다.
Np=64turn인 경우에는,

상기와 같은 결과로, 포화되지 않는 영역이 됩니다. 따라서, Np=64turn으로 합니다.
⑤2차측 권선수 Ns의 산출
다음으로, 2차측 권선수 Ns를 산출합니다. 「①플라이백 전압 VOR의 설정」에서 Np/Ns=8을 구했으므로, 하기 식을 사용하여 산출합니다.
⑥VCC 권선수 Nd의 산출
하기 식에서 VCC 권선수 Nd를 산출합니다. VCC=24V, Vf_vcc=1V로 합니다.
VCC의 24V는, 본 설계 예에서 사용하는 IC인 BD7682FJ-LB의 VCC 표준 요구 전압입니다. SiC-MOSFET를 구동하므로 게이트 전압 (OUT 단자 클램프 전압)은 18V (typ)를 필요로 합니다.
이로써 필요한 파라미터를 모두 산출하였습니다. 앞에서 기재한 표에 하기와 같이 수치를 기입하였습니다.
트랜스 설계에 필요한 파라미터
| 트랜스 코어 사이즈 | EFD30 (또는 호환품) |
|---|---|
| Lp (1차측 권선 인덕턴스) | 1750µH |
| Np (1차측 권선수) | 64 turns |
| Ns (2차측 권선수) | 8 turns |
| Nd (VCC 권선수) | 8 turns |
하기 그림은 이러한 파라미터를 바탕으로 한 트랜스 설계 사례입니다.


AC-DC
기초편
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- 정리
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설계편
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AC-DC PWM 방식 플라이백 컨버터의 설계 방법 개요
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- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 스위칭 AC-DC 변환
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- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 불연속 모드와 연속 모드
- 전원 사양 결정
- 설계 순서
- 설계에 사용할 IC의 선택
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계
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- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (구조 설계) -제1장-
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (구조 설계) -제2장-
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- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : 주요 부품 선정 – IC의 VCC 관련
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- 정리
- AC-DC 비절연형 벅 컨버터의 설계 사례 개요
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SiC-MOSFET를 사용한 절연형 의사 공진 (Quasi-Resonant) 컨버터의 설계 사례
- 설계에 사용하는 전원 IC : SiC-MOSFET용으로 최적화
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- 트랜스 T1의 설계 -제2장-
- 주요 부품 선정 : MOSFET Q1
- 주요 부품 선정 : 입력 콘덴서 및 밸런스 저항
- 주요 부품 선정 : 과부하 보호 포인트의 전환 설정 저항
- 주요 부품 선정 : 전원 IC의 VCC 관련 부품
- 주요 부품 선정 : 전류 검출 저항 및 각 검출용 단자 관련 부품
- 주요 부품 선정 : EMI 및 출력 노이즈 대책 부품
- 기판 레이아웃 예
- 주요 부품 선정 : 전원 IC의 BO (브라운 아웃) 핀 관련 부품
- 사례 회로와 부품 리스트
- 평가 결과 : 효율과 스위칭 파형
- 정리
- 주요 부품 선정 : 출력 정류 다이오드
- 주요 부품 선정 : 스너버 회로 관련 부품
- 주요 부품 선정 : 출력 콘덴서, 출력 설정 및 제어 부품
- 주요 부품 선정 : MOSFET 게이트 구동 조정 회로
-
AC/DC 컨버터의 효율을 향상시키는 2차측 동기정류 회로의 설계
- 동기정류 회로부 : 주변 회로 부품 선정 - MAX_TON 단자의 C1과 R3, 및 VCC 단자
- 션트 레귤레이터 회로부 : 주변 회로 부품 선정
- 설계 순서
- 설계에 사용하는 IC
- 전원 사양과 대체 회로
- 동기정류 회로부 : 동기정류용 MOSFET 선정
- 동기정류 회로부 : 전원 IC 선택
- 동기정류 회로부 : 주변 회로 부품 선정 - 드레인 단자의 D1, R1, R2
- 트러블 슈팅 ① : 2차측 MOSFET가 갑자기 OFF되는 경우
- 트러블 슈팅 ② : 경부하 시 2차측 MOSFET가 공진 동작으로 인해 ON되는 경우
- 트러블 슈팅 ③ : 서지의 영향으로 VDS2가 2차측 MOSFET의 VDS 내압 이상이 되는 경우
- 다이오드 정류와 동기정류의 효율 비교
- 실장 기판 레이아웃에 관한 주의점
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