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2021.10.27 Si 파워 디바이스

서론

Si 다이오드용 소형 · 고방열 패키지 「PMDE」의 평가

최근 다양한 전자기기에서 실장 디바이스에 대한 소형화 요구가 높아지고 있습니다. 그러나, 일반적으로 패키지의 허용 손실은 패키지의 소형화에 따라 저하되므로, 특히 쇼트키 배리어 다이오드 (이하, SBD)와 같이 발열로 인한 열폭주의 위험이 있는 디바이스에 있어서는 소형화와 패키지의 허용 손실을 동시에 실현하는 것은 매우 큰 과제입니다.

이러한 과제에 대한 대책으로서, 새로운 「PMDE」 패키지를 SBD에 채용하였습니다. PMDE 패키지는 특히 자동차기기 시장에서 높은 평가를 얻고 있는 기존의 「PMDU」 패키지의 다음 세대에 해당되는 패키지입니다. 사이즈를 비교하면, PMDU는 3.5×1.6×0.8mm인 반면 PMDE는 2.5×1.3×0.95mm로, 실장 면적을 약 40% 삭감하였습니다. 또한, PMDE는 이면 전극 면적을 약 1.5배로 확대함으로써, PMDU와 동등한 패키지 허용 손실을 확보함과 동시에 실장 강도는 약 1.4배 향상시켰습니다.

본 테마에서는 PMDE 패키지와 기존의 PMDU 패키지의 외형 및 내부 구조 등의 비교하고, 열 시뮬레이션 및 실장기기에서의 평가에 대해 설명하겠습니다.

본 내용은 어플리케이션 노트 「자동차기기용 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD)의 소형 · 고방열 패키지 「PMDE」의 우위성」을 바탕으로 구성하였습니다. 관련 자료는 하기 자료 다운로드를 클릭하시면 열람 가능합니다.

키 포인트

・새로운 「PMDE」 패키지는 기존 「PMDU」 패키지의 다음 세대에 해당된다.

・PMDE 패키지는 PMDU 패키지 대비 실장 면적을 약 40% 삭감하면서, 이면 전극을 약 1.5배 크게 함으로써, 동등한 패키지 허용 손실을 확보하였으며, 실장 강도는 1.4배로 향상시켰습니다.

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