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2021.11.10 Si 파워 디바이스

PMDE 패키지의 외형 및 내부 구조

Si 다이오드용 소형 · 고방열 패키지 「PMDE」의 평가

PMDE와 PMDU 패키지 : 외형 비교

하기 그림은 PMDE와 PMDU의 외형을 비교한 것입니다. 신규 패키지 PMDE는 기존의 PMDU 대비, 실장 면적을 약 40% 삭감함과 동시에, 이면 전극 면적을 약 1.5배 확대함으로써, PMDU와 동등한 패키지 허용 손실을 확보하였습니다. 또한, 실장 강도도 약 1.4배 향상시켰습니다.


기존 패키지 PMDU와 신규 패키지 PMDE의 외형 비교

PMDE와 PMDU 패키지 : 내부 구조와 방열 경로의 비교

신규 패키지 PMDE는 기존의 PMDU와 마찬가지로, 소자와 프레임과의 전기적 접속에 와이어를 사용하지 않고, 소자를 직접 프레임에 끼우는 「와이어레스 구조」를 채용하였습니다. 이에 따라 서지 전류로 인해 와이어가 끊어질 리스크가 없어지므로, 높은 서지 전류 내량 (IFSM)을 실현합니다. 뒤에서 설명할 SBD 라인업의 경우, IFSM은 20~30A로 매우 큰 수치를 보증합니다. 하기 그림은 PMDE와 PMDU의 내부 구조와 방열 경로를 비교한 것입니다.


PMDE와 PMDU의 내부 구조와 방열 경로의 비교

캐소드 측의 방열은 PMDU의 경우 하면의 대부분이 몰드 수지로 덮여 있기 때문에 주로 리드 프레임을 경유한 가로 방향의 열 전도를 통해 이루어집니다. 반면에 PMDE는 하면 전극을 크게 노출시킴으로써, 효율적으로 기판을 통해 직접 방열하는 구조입니다. 이와 같이 PMDE는 소형화로 인한 패키지 허용 손실의 저하를 억제한 신규 패키지입니다.

・PMDE는 PMDU 대비 실장 면적을 약 40% 삭감함과 동시에 동등한 패키지 허용 손실을 확보하고, 실장 강도는 1.4배로 향상.

・와이어레스 구조를 채용함으로써 서지 전류로 인해 와이어가 끊어질 리스크가 없으므로, 높은 서지 전류 내량 (IFSM) 실현.

・PMDE는 하면 전극을 크게 노출시킴으로써, 효율적으로 기판을 통해 직접 방열하는 구조.

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