SiC-MOSFET란? – Trench 구조 SiC-MOSFET와 실제 제품

이번에는, 최신 제3세대 SiC-MOSFET에 대한 설명과, 현재 입수 가능한 SiC-MOSFET에 관한 정보를 소개하겠습니다.

독자적인 Double Trench 구조 SiC-MOSFET

SiC-MOSFET의 진화는 계속되고 있으며, 로옴은 세계 최초로 Trench 게이트 구조를 채용한 SiC-MOSFET를 양산하고 있습니다. 이것이 바로, 로옴의 제3세대 SiC-MOSFET입니다.

Trench 구조는 Si-MOSFET에서는 폭넓게 채용되고 있으며, SiC-MOSFET에서도 ON 저항의 저감이 가능하다는 점에서 Trench 구조의 채용이 주목받고 있습니다.

그러나, 일반적인 싱글 Trench 구조에서는 게이트 Trench의 하부에 전계가 집중되어, 장기 신뢰성에 관한 과제가 있었습니다. 반면에, 로옴에서 개발한 더블 Trench 구조는 소스 부분에도 Trench 구조를 도입하여, 게이트 Trench 하부의 전계 집중을 완화시켰습니다. 이에 따라 장기 신뢰성 확보가 가능하여, 양산화를 실현하였습니다.

이러한 더블 Trench 구조를 채용한 SiC-MOSFET는 기존에 양산중인 제2세대 Planar 타입 (DMOS 구조) SiC-MOSFET 대비, ON 저항을 약 50%, 입력 용량을 약 35% 저감하였습니다.

실제 SiC-MOSFET 제품

하기는, 공급 가능한 SiC-MOSFET의 라인업입니다. SCT 시리즈와 SCH 시리즈가 있으며, SCH 시리즈는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 내장함으로써 바디 다이오드의 역회복 특성을 보완하여, 대폭적인 특성 향상을 실현하였습니다.

하기 표의 SCT3xxx 품번이 제3세대 Trench 구조 SiC-MOSFET입니다.

※본 라인업은 2017년 기준입니다. 2019년 현재 SiC-MOSFET 라인업은 이곳을 클릭