Full SiC 파워 모듈이란?

SiC 개요, SiC-SBD (쇼트키 배리어 다이오드), SiC-MOSFET에 이어, 새로운 주제로서 내장 소자를 모두 SiC 파워 디바이스로 구성한 「Full SiC 파워 모듈」에 대해 설명하겠습니다. 그럼 우선, Full SiC 파워 모듈이란 구체적으로 어떤 것인지, 그리고 어떠한 기종이 있는지에 대해 설명하겠습니다. 이후, 특징 및 성능, 응용 예와 사용법에 대해 순차적으로 설명할 예정입니다.

Full SiC 파워 모듈이란?

로옴은 세계를 선두하여 자사에서 제작한 SiC-MOSFET와 SiC-SBD를 사용하여 구성한 「Full SiC 파워 모듈」을 양산하고 있습니다. 기존의 Si-IGBT 파워 모듈에 비해 고속 스위칭과 대폭적인 손실 저감이 가능합니다. 이 점에 대해서는, 지금까지의 SiC-SBD 및 SiC-MOSFET의 특징과 성능에 대해 설명했으므로 이해가 쉬울 것입니다.

현재, 로옴이 양산 중인 Full SiC 파워 모듈은 2 in 1 타입의 모듈로, half-bridge 타입과 승압 chopper 타입이 있습니다.

또한, NTC 서미스터를 탑재한 타입도 구비하고 있습니다.

하기는, 라인업과 주요 사양을 정리한 표입니다. 1200V 내압에서 80A~600A의 라인업이 구비되어 있으며, 지속적으로 라인업을 확충하고 있습니다. 이러한 라인업으로, IGBT 모듈 시장의 주요한 전류 정격인 100A~600A에 대응 가능합니다.

※사양이 확정되지 않은 제품도 포함되어 있으므로, 상세 내용은 별도 문의하여 주십시오.

※본 라인업은 2017년 10월 기준이므로, 최신 라인업은 홈페이지 「SiC 파워 모듈」을 참조하여 주십시오.

진화를 거듭하는 Full SiC 파워 모듈

최신 Full SiC 파워 모듈에는 최신 SiC-MOSFET인 제3세대 Trench 구조 SiC-MOSFET가 채용되어, 한층 더 뛰어난 손실 저감을 실현합니다. 하기의 예를 참조하여 주십시오.

다음에는 Full SiC 파워 모듈의 특징과 메리트에 대해 상세히 설명하도록 하겠습니다.