2019.12.25
키 포인트
・Full SiC 모듈 손실 시뮬레이터를 비롯한 서포트 툴을 구비하고 있다.
・서포트 툴은 Full SiC 모듈의 선택 및 초기 검토에 유용하다.
이번에는, Full SiC 모듈을 사용한 설계 및 평가 서포트 툴을 소개하겠습니다.
Full SiC 모듈 손실 시뮬레이터
Full SiC 모듈의 검토 및 선택에 이용 가능한, 손실 시뮬레이터를 무상으로 제공하고 있습니다. Full SiC 모듈을 선택하여 입력 조건을 설정하는 것만으로 모듈 내부의 트랜지스터와 다이오드의 손실 및 온도를 시뮬레이션 할 수 있습니다.
하기 그림은 입력 화면의 예입니다.
G는 Power Factor (역률), H는 변조비, K는 히트싱크 온도이며, 나머지는 기재된 것과 같습니다. 이어서, 출력 화면입니다.
A는 모듈 내부의 트랜지스터 별 손실 P-Tr, P-Tr의 내역인 SW 손실과 DC 손실, 그리고 SW 손실의 내역인 SW (on)과 SW (off)의 손실을 나타냅니다. 또한 동시에, 접합부 온도와 케이스 온도의 차 ΔTj-c (Ave), 접합부 온도 Tj (Ave)도 계산됩니다. 마찬가지로 B는 다이오드의 시뮬레이션 결과를 나타냅니다. C는 모듈 전체의 손실입니다. 이것을 CSV 형식으로 보존할 수 있습니다.
Full SiC 모듈 손실 시뮬레이터는 이곳에서 다운로드 가능합니다.
기타 서포트 툴
그밖에도 관련 서포트 툴이 있습니다. 하기 링크를 참조하여 주십시오.
로옴이 주최하는 세미나의 배포 자료입니다. 파워 제품의 소형화, 저소비전력화, 고효율화에 큰 가능성을 가진 실리콘 카바이드 (SiC)의 특성 기본, 다이오드, 트랜지스터로서의 사용 방법과 활용 사례를 게재하고 있습니다.
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