2022.01.01
SiC는 Si 반도체보다 소형화, 저소비전력화, 고효율화가 가능한 파워 소자 실현 가능. 스위칭 손실의 저감 및 고온 환경 하에서 동작 특성이 우수한 차세대 저손실 소자. SiC MOSFET는 스위칭 동작 시의 tail 전류가 원리적으로 없으므로, 고속 동작하여 스위칭 손실 저감 가능. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있어, 저용량, 낮은 게이트 차지 실현.
제품 정보
로옴이 주최하는 세미나의 배포 자료입니다. 파워 제품의 소형화, 저소비전력화, 고효율화에 큰 가능성을 가진 실리콘 카바이드 (SiC)의 특성 기본, 다이오드, 트랜지스터로서의 사용 방법과 활용 사례를 게재하고 있습니다.
로옴이 주최하는 세미나의 배포 자료입니다. 파워 제품의 소형화, 저소비전력화, 고효율화에 큰 가능성을 가진 실리콘 카바이드 (SiC)의 특성 기본, 다이오드, 트랜지스터로서의 사용 방법과 활용 사례를 게재하고 있습니다.