2021.01.20
키 포인트
・동기정류 강압 컨버터에서 MOSFET의 도통 손실은, ON 저항과 ON 시의 전류 및 ON 구간을 바탕으로 산출한다.
지난 편에서는 동기정류 강압 컨버터에서의 손실 발생 부분을 확인하고, 컨버터 전체로서의 손실은 각 부분 손실의 합계라고 설명했습니다. 이번 편에서는, 각 포인트의 손실 산출 방법에 대해 검토하겠습니다. 먼저, 파워 스위치인 출력단 MOSFET의 도통 손실입니다.
출력단 MOSFET의 도통 손실
출력단 MOSFET의 도통 손실은, High-side 및 Low-side MOSFET ON 시의 ON 저항 (RDS(ON))으로 인한 손실이며, 전도 손실이라고도 합니다. 여기에서는 하기의 기호로 표기하였습니다.
PONH : High-side MOSFET ON 시의 ON 저항으로 인한 도통 손실
PONL : Low-side MOSFET ON 시의 ON 저항으로 인한 도통 손실
ON 저항은 MOSFET의 특성을 나타내는 중요한 파라미터 중 하나로, MOSFET에는 반드시 존재하는 항목입니다. 따라서, 저항을 지닌 도체에 전류가 흐르는 것이므로, 단순히 그 만큼의 손실이 발생한다는 것을 알 수 있습니다.
그러면, MOSFET의 도통 손실을 산출해보겠습니다. 하기 회로도의 IONH (적색)는 High-side MOSFET ON 시의 전류를 나타냅니다. IONL (청색)은 Low-side MOSFET ON 시의 전류입니다. 파형도의 LX는 스위치 노드의 전압 파형, IONH와 IONL은 스위칭에 따른 각 전류 파형, IL은 인덕터 전류로, 표준적인 예입니다.
동기정류의 경우, High-side 스위치 ON 시에는 Low-side 스위치가 OFF되고, Low-side ON 시에는 High-side가 OFF됩니다. 스위치 노드 파형의 적색 부분은 IONH가 흐르고 있음을 나타내며, 청색 부분은 IONL이 흐르고 있음을 나타냅니다. 즉, 이 구간에 MOSFET에 흐르는 전류와 MOSFET의 ON 저항으로 인한 전력 손실이 각각의 도통 손실이 됩니다. 하기의 계산식으로 나타낼 수 있습니다.
보시는 바와 같이 옴의 법칙에 따른 I2 · R에 ON 구간을 곱한 값입니다. 전류는 평균 전류인 Io를 사용한 모델입니다.
참고로, 다이오드 정류 (비동기정류)의 경우에는, 동기정류의 Low-side MOSFET가 다이오드가 되는 것이므로, 동일한 개념으로 손실을 구할 수 있습니다. 다이오드에는 ON 저항이라는 파라미터가 없으므로, 순방향 전압 Vf로 계산합니다. 이러한 경우 전압 (Vf)을 알고 있으므로, V · I로 계산할 수 있습니다. 또한, 스위치가 바이폴라 트랜지스터인 경우에도, 다이오드와 동일한 개념으로 VCE를 사용하여 계산할 수 있습니다.
실제의 계산에서 중요한 것은, ON 저항의 값은 Io 값에서의 ON 저항으로 계산한다는 것입니다. MOSFET의 데이터시트에 게재되어 있는 ON 저항 RDS(ON)과 IDS의 그래프를 이용하면 편리합니다. 다이오드의 Vf 및 바이폴라 트랜지스터의 VCE도 마찬가지입니다.
다음 편에서는 스위칭 손실에 대해 설명하겠습니다.
로옴이 주최하는 세미나의 배포 자료입니다. 리니어 레귤레이터와 스위칭 레귤레이터의 기초에 대한 내용입니다.
동작 원리, 종류, 특징 이외에도, 스위칭 레귤레이터에 관해서는 최신 전원 IC의 제어 방법 및 기능에 관한 정보를 게재하고 있습니다.
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