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알면 득이 되는 키 포인트

모터 구동에 적합한 파워 디바이스

비절연 게이트 드라이버 및 파워 디바이스

주목 키워드
  • High-side / Low-side 게이트 드라이버
  • Latch-up free SOI 프로세스
  • Free Wheeling 손실
  • 역회복 시간 trr 특성을 고속화
  • 비절연 게이트 드라이버
  • 고신뢰성 실현
  • PrestoMOS

로옴은 모터 드라이버 IC와 더불어, 모터 구동에 적합한 비절연 게이트 드라이버, 디스크리트 파워 디바이스로서 IGBT와 파워 MOSFET를 구비하고 있습니다.

Latch-up free (Latch Resistant Design) SOI 프로세스를 채용한 고신뢰성 비절연 게이트 드라이버

로옴의 비절연 게이트 드라이버는 Bootstrap 방식을 사용한 High-side / Low-side 게이트 드라이버입니다. Latch-up free SOI 프로세스를 채용함으로써, 고신뢰성을 실현하였습니다. Latch-up이 발생하면 대전류가 흘러, IC나 파워 디바이스가 파괴에 이르는 경우가 있습니다. Latch-up 내량은 소자 레이아웃이나 제조 프로세스를 통해 향상시킬 수 있습니다. 로옴의 SOI (Silicon On Insulator) 프로세스는 SOI 기판을 통한 완전 유전체 분리법으로 고내압화를 달성하여 구조적으로 Latch-up을 발생시키지 않습니다.

역회복 시간을 고속화한 Super Junction MOSFET : PrestoMOS

PrestoMOS는 기존 Super Junction MOSFET의 과제인 내부 기생 다이오드의 역회복 시간 trr 특성을 고속화하여, 손실을 저감한 Super Junction MOSFET입니다.

PrestoMOS는 IGBT에 비해, 저~중전력 영역에서는 손실 전압이 작아 손실을 저감할 수 있습니다 (하기 왼쪽 그래프 참조). 또한, 모터 드라이브 회로 등에서 일반적인 MOSFET나 IGBT의 회생 전류로 인한 Free Wheeling 손실을 저감하기 위해 외장 패스트 리커버리 다이오드 (FRD)를 사용하지 않고, 고속화된 내부 기생 다이오드를 이용할 수 있습니다. FRD에 비해 PrestoMOS의 기생 다이오드는 VF가 낮으므로 저손실입니다.

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※본 라인업은 2019년 시점의 내용으로, 일부 삭제된 품명이 포함되어 있습니다. 현재 라인업은 로옴 홈페이지를 참조하여 주십시오.
https://www.rohm.co.kr/products/power-management/gate-drivers
https://www.rohm.co.kr/products/igbt
https://www.rohm.co.kr/support/super-junction-mosfet

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