알면 득이 되는 키 포인트

BD9G341AEFJ : 업계 최고 수준의 80V 고내압과 고효율을 실현한 DC-DC 컨버터：고내압 · 저 ON 저항 MOSFET를 내장한 강압 1ch DC-DC 컨버터

2018.10.11

로옴은 80V 고내압 MOSFET를 내장한 DC-DC 컨버터용 IC 「BD9G341AEFJ」를 개발하였습니다. 80V라는 내압은 파워 트랜지스터를 내장한 비절연형 DC-DC 컨버터 IC로는 세계 최고 수준이며, 로옴의 DC-DC 컨버터 라인업 중에서도 가장 내압이 높은 기종입니다. 고내압 DC-DC 컨버터는 텔레콤 관련 및 산업기기를 비롯하여, 최근에는 배터리 스택을 이용하는 어플리케이션이 증가함에 따라 그 수요가 높아지고 있습니다. 그러나, 60V를 넘는 내압을 지닌 DC-DC 컨버터용 IC의 공급 메이커는 한정되어 있으며, 종류도 그다지 많지 않은 것이 현실입니다.

BD9G341AEFJ는 파워 스위치로서 80V / 3.5A 정격의 Nch MOSFET를 내장한 DC-DC 컨버터용 IC이며, 적은 외장 부품을 추가하는 것만으로 고성능 고내압 DC-DC 컨버터를 구축할 수 있습니다. 일반적으로 고내압 DC-DC 컨버터는 회로 구성 시 고내압 MOSFET를 외장함으로써, 고내압을 실현하는 경우가 많습니다. 그러나, BD9G341AEFJ의 경우, IC화를 위해서는 고도의 기술이 필요한 고내압 MOSFET를 내장함으로써 실장 면적의 삭감 및 설계의 간소화를 실현하였습니다. 또한, 내장된 MOSFET의 ON 저항은 150mΩ으로 낮아, 효율 향상에 기여합니다.

BD9G341AEFJ의 변환 방식은 다이오드 정류 또는 비동기 정류라는 강압 방식입니다. High-side MOSFET는 내장되어 있지만, 캐치 다이오드 (catch diode)는 외장입니다. 캐치 다이오드는 쇼트키 배리어 다이오드로, 회로의 최대 입력전압을 허용할 수 있는 고내압 제품이 필요합니다. 로옴에서는 스위칭 전원에 적합한 다양한 다이오드를 구비하고 있어, BD9G341AEFJ에 필요한 쇼트키 배리어 다이오드도 함께 공급할 수 있습니다.

하기에 주요 특징과 표준 회로 예를 기재하였습니다. 전류 모드 제어 채용으로 위상보상이 간단하여 고속 과도 응답을 실현합니다. 스위칭 주파수는 50kHz~750kHz 범위에서 설정할 수 있어, 사이즈와 효율의 최적화가 가능합니다. 또한, 필요한 대부분의 보호 기능이 탑재되어 있습니다.

＜특징＞