2018.12.20
로옴은 세계를 선도하여, 자사의 SiC-MOSFET와 SiC-SBD를 사용하여 구성한 「Full SiC」 파워 모듈을 양산하고 있습니다. 기존의 Si-IGBT 파워 모듈 대비, 고속 스위칭과 대폭적인 손실 저감이 가능합니다. 최신 모듈에는 제3세대 SiC-MOSFET를 채용하여, 저손실을 한층 더 실현하였습니다.
제3세대 SiC-MOSFET를 채용하여, 손실을 한층 더 저감
Full SiC 파워 모듈을 구성하는 SiC-MOSFET는 진화를 거듭하고 있으며, 차세대 제품인 Trench 구조를 채용한 제3세대 제품도 개발됨에 따라, SiC 모듈에도 제3세대 SiC-MOSFET를 사용한 제품이 개발되었습니다.
「BSM180D12P3C007」은 제3세대 SiC-MOSFET를 사용함으로써, 저 ON 저항화와 대전류화를 추진한 1200V / 180A, Ron 10mΩ (typ.)의, SiC-SBD 내장 타입 Full SiC 파워 모듈입니다. 하기는 기존품과의 관계를 나타낸 그림입니다.
BSM180D12P3C007은 스위칭 손실을 IGBT 모듈 대비 대폭 삭감하였으며, 기존의 SiC 모듈에 비해서도 42% 삭감하였습니다. 이에 따라, 어플리케이션의 고효율화와 소형화를 한층 더 실현할 수 있습니다.
Full SiC 파워 모듈의 라인업 확충
하기 표는 Full SiC 파워 모듈의 라인업입니다. BSM180D12P3C007과 더불어, 제2세대 SiC-MOSFET를 사용한 라인업에도 신제품이 추가되고 있습니다. 앞으로도 지속적으로 라인업을 확충해나갈 것입니다.
품명 | 절대 최대 정격 (Tj=25°C) | RDS (ON) (mΩ) |
패키지 | 서미스터 | 내부 회로도 | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VDS (V) |
ID (A) (Tc= 60°C) |
Tj (°C) |
Tstg (°C) |
Visol (V) (AC1min.) |
|||||
BSM080D12P2C008 (2G. DMOS) |
1200 | 80 | -40 to +175 |
-40 to +125 |
2500 | 34 | C type |
없음 | ![]() |
BSM120D12P2C005 (2G. DMOS) |
120 | 20 | |||||||
BSM180D12P3C007 (3G.UMOS) |
180 | 10 | |||||||
BSM120C12P2C201 (2G.DMOS) |
120 | 20 | ![]() |
||||||
BSM180D12P2E002 (2G.DMOS) |
180 | 10 | E type |
있음 | ![]() |
||||
BSM300D12P2E001 (2G. DMOS) |
300 | 7.3 |
※본 기사는 2016년 12월 시점의 내용입니다.
제품 정보
기술 자료 및 셀렉션 가이드 등 다운로드 자료를 구비하고 있습니다.
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