제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 : SCS3 시리즈：저손실을 유지함과 동시에 서지 전류 내성을 향상시킴으로써, 하이엔드 기기의 PFC에 대응

로옴의 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (이하, SiC-SBD)는 「SCS3 시리즈」로서 제3세대가 되었습니다. 로옴의 SiC-SBD는 차세대 제품일수록 순방향 전압의 저감을 비롯한, 다양한 특성이 개선되어 진화를 거듭하고 있습니다. 현재 양산중인 제2세대 SiC-SBD는, 순방향 전압 「V_F＝1.35V @25℃」를 실현하였습니다. 그리고 제3세대 SCS3 시리즈는 V_F 특성을 한층 더 개선함과 동시에 서지 전류 내성 I_FSM을 대폭 향상시켰습니다.

서지 전류 내성을 향상시켜, 서버 및 고성능 PC 등의 PFC에 대응

SiC-SBD는 그 고속 리커버리 특성으로 전원 및 인버터의 효율 향상에 효과적이지만, 서버 및 고성능 PC 등의 PFC 회로에서는 이러한 장점과 더불어 높은 서지 전류 내성도 요구됩니다. SCS3 시리즈는 제2세대의 순방향 전압 특성을 개선하고, 서지 전류 내성을 2배에 가깝게 향상시켰습니다. 이로써 SCS3 시리즈는 서지 전류가 인가되는 불규칙적인 동작 시에서도 안심하고 사용할 수 있습니다.

라인업 확충

발표 당시의 라인업은 개발중인 제품을 포함하여, 6A~10A, TO-220ACP 패키지로 3기종이었지만, 지속적으로 라인업을 확충하고 있습니다 (2019년 3월 현재 28종, 자세한 라인업은 이곳을 클릭). Through-hole 타입의 TO-220ACP와 더불어, TO-220FM, 면실장 타입의 TO-263AB를 구비하여, 실장 방법 및 스페이스에 따라 패키지를 선택할 수 있습니다.

※본 기사는 2017년 3월 시점의 내용입니다.