자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101 준거 SiC MOSFET：업계 최다 라인업, 차량용 SiC MOSFET 10기종 추가

로옴은 xEV의 차량용 충전기 및 DC-DC 컨버터용으로 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 SiC MOSFET, 「SCT3xxxxxHR 시리즈」에 10기종을 새롭게 추가하여, 업계 최다^*인 13기종을 라인업으로 구비하였습니다.

*2019년 3월 로옴 조사

xEV의 항속 거리 연장을 위해, 차량용 충전기에는 고출력 · 고효율이 요구된다.

최근, 자동차의 xEV (전동차의 총칭)화가 가속화되고 있습니다. 그 중에서 전기자동차 (EV)는 보급이 확대되고 있지만, 항속 거리가 짧다는 점이 과제로 떠오르고 있습니다. 항속 거리를 늘리기 위해, 탑재 배터리의 용량은 증가하는 경향이 있으며, 이에 따라 충전 시간의 단축도 요구되고 있습니다. 이를 실현하기 위해서는 한층 더 고출력 · 고효율의 차량용 충전기 (11kW, 22kW 등)가 요구되고 있어, SiC MOSFET가 채용되는 케이스가 증가하고 있습니다. 또한, 유럽을 중심으로 탑재 배터리의 고전압화 (800V) 추세가 있어, 한층 더 고내압 · 저손실의 파워 디바이스가 필요시되고 있습니다.

이러한 시장 요구에 대응하기 위해, 로옴은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 제품 라인업을 확충하고 있습니다. 새롭게 추가한 10기종은, 로옴에서는 제3세대인 Trench gate 구조를 채용한 SiC MOSFET입니다. 제3세대 SiC MOSFET는, 제2세대 Planar 타입 SiC MOSFET 대비, ON 저항을 약 50%, 입력 용량을 약 35% 저감하였습니다. 이로써, 현재의 AEC-Q101 준거 디스크리트 제품의 라인업은 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드)와 SiC MOSFET를 통틀어 34기종으로 업계 최고입니다. 하기는 AEC-Q101 준거 SiC MOSFET의 라인업입니다. 개별 사양은 각 품명의 링크를 이용하여 주십시오.

＜차량용 AEC-Q101 준거 SiC MOSFET 라인업＞
공통 사양 : 동작온도 범위 -55℃~+175℃, TO-247N 패키지, AEC-Q101 준거

세대 (게이트 구조)	품명	VDS (V)	ON 저항 (typ.) (mΩ)	ID (A)	PD (W)
제3세대 (Trench gate 구조)	SCT3017ALHR	650	17	118	427
	SCT3022ALHR		22	93	339
	SCT3030ALHR		30	70	262
	SCT3060ALHR		60	39	165
	SCT3080ALHR		80	30	134
	SCT3120ALHR		120	21	103
	SCT3022KLHR	1200	22	95	427
	SCT3030KLHR		30	72	339
	SCT3040KLHR		40	55	262
	SCT3080KLHR		80	31	165
	SCT3105KLHR		105	24	134
	SCT3160KLHR		160	17	103
제2세대 (Planar gate 구조)	SCT2080KEHR	1200	80	40	262

세계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 개발과 생산 체제
로옴은 2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산화에 성공하는 등, SiC 파워 디바이스에 있어서 항상 업계를 리드하는 제품을 개발하고, 양산 체제를 구축하였습니다. 수요가 확대되는 오토모티브 시장에 대해서는 AEC-Q101 대응 등 자동차기기에 적합한 품질 및 신뢰성을 조기에 확립하였습니다. 2012년부터 차량용 충전기용으로 SiC SBD를 공급하였으며, 2017년부터는 차량용 충전기 및 DC-DC 컨버터용으로 SiC MOSFET를 공급하고 있습니다.

또한, 로옴은 품질제일의 이념을 바탕으로, 개발부터 제조까지 일관하여 그룹 내에서 실시하는 「수직 통합」 시스템을 채용하고 있습니다. SiC 파워 디바이스에 있어서도, 웨이퍼에서 패키징에 이르기까지 모두 자사에서 일관 생산하는 체제를 구축하여, 고품질과 고신뢰성을 실현하였습니다.

앞으로도 지속적으로 차량용 SiC 파워 디바이스의 라인업을 확대해 나갈 예정입니다.

※본 기사는 2019년 4월 시점의 내용입니다.