2020.01.08
로옴은 xEV의 차량용 충전기 및 DC-DC 컨버터용으로 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 SiC MOSFET, 「SCT3xxxxxHR 시리즈」에 10기종을 새롭게 추가하여, 업계 최다*인 13기종을 라인업으로 구비하였습니다.
*2019년 3월 로옴 조사
xEV의 항속 거리 연장을 위해, 차량용 충전기에는 고출력 · 고효율이 요구된다.
이러한 시장 요구에 대응하기 위해, 로옴은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 제품 라인업을 확충하고 있습니다. 새롭게 추가한 10기종은, 로옴에서는 제3세대인 Trench gate 구조를 채용한 SiC MOSFET입니다. 제3세대 SiC MOSFET는, 제2세대 Planar 타입 SiC MOSFET 대비, ON 저항을 약 50%, 입력 용량을 약 35% 저감하였습니다. 이로써, 현재의 AEC-Q101 준거 디스크리트 제품의 라인업은 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드)와 SiC MOSFET를 통틀어 34기종으로 업계 최고입니다. 하기는 AEC-Q101 준거 SiC MOSFET의 라인업입니다. 개별 사양은 각 품명의 링크를 이용하여 주십시오.
<차량용 AEC-Q101 준거 SiC MOSFET 라인업>
공통 사양 : 동작온도 범위 -55℃~+175℃, TO-247N 패키지, AEC-Q101 준거
세대 (게이트 구조) |
품명 | VDS (V) |
ON 저항 (typ.) (mΩ) |
ID (A) |
PD (W) |
---|---|---|---|---|---|
제3세대 (Trench gate 구조) |
![]() SCT3017ALHR |
650 | 17 | 118 | 427 |
![]() SCT3022ALHR |
22 | 93 | 339 | ||
SCT3030ALHR | 30 | 70 | 262 | ||
![]() SCT3060ALHR |
60 | 39 | 165 | ||
![]() SCT3080ALHR |
80 | 30 | 134 | ||
![]() SCT3120ALHR |
120 | 21 | 103 | ||
![]() SCT3022KLHR |
1200 | 22 | 95 | 427 | |
![]() SCT3030KLHR |
30 | 72 | 339 | ||
![]() SCT3040KLHR |
40 | 55 | 262 | ||
![]() SCT3080KLHR |
80 | 31 | 165 | ||
![]() SCT3105KLHR |
105 | 24 | 134 | ||
![]() SCT3160KLHR |
160 | 17 | 103 | ||
제2세대 (Planar gate 구조) |
SCT2080KEHR | 1200 | 80 | 40 | 262 |
세계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 개발과 생산 체제
로옴은 2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산화에 성공하는 등, SiC 파워 디바이스에 있어서 항상 업계를 리드하는 제품을 개발하고, 양산 체제를 구축하였습니다. 수요가 확대되는 오토모티브 시장에 대해서는 AEC-Q101 대응 등 자동차기기에 적합한 품질 및 신뢰성을 조기에 확립하였습니다. 2012년부터 차량용 충전기용으로 SiC SBD를 공급하였으며, 2017년부터는 차량용 충전기 및 DC-DC 컨버터용으로 SiC MOSFET를 공급하고 있습니다.
또한, 로옴은 품질제일의 이념을 바탕으로, 개발부터 제조까지 일관하여 그룹 내에서 실시하는 「수직 통합」 시스템을 채용하고 있습니다. SiC 파워 디바이스에 있어서도, 웨이퍼에서 패키징에 이르기까지 모두 자사에서 일관 생산하는 체제를 구축하여, 고품질과 고신뢰성을 실현하였습니다.
앞으로도 지속적으로 차량용 SiC 파워 디바이스의 라인업을 확대해 나갈 예정입니다.
※본 기사는 2019년 4월 시점의 내용입니다.
기술 자료 및 셀렉션 가이드 등 다운로드 자료를 구비하고 있습니다.
기술 자료 및 셀렉션 가이드 등 다운로드 자료를 구비하고 있습니다.