2020.04.08
SiC MOSFET 사용의 메리트
SiC MOSFET는 Si-MOSFET 대비, 고내압 영역에서 스위칭 및 도통 손실이 적고, 대전력에 대응 가능하며, 온도 변화에 강하다는 메리트가 있습니다. 이러한 내용은 Tech Web의 「SiC 파워 디바이스 : 기초 지식」에도 게재되어 있습니다. AC-DC 컨버터 및 DC-DC 컨버터 등의 전력 변환 어플리케이션에서는 이러한 메리트를 통해, 전력 변환의 고효율화, 방열용 부품의 소형화, 고주파 동작에 의한 인덕터의 소형화 등 저전력 및 부품수 삭감, 실장 면적 삭감이 가능합니다.
특히, 교류 400V를 취급하는 산업기기에서 이러한 메리트를 바탕으로 SiC 파워 반도체의 채용이 추진되고 있습니다. 메인 전원 회로와 더불어, 저전력화의 과제인 각종 제어 시스템용 보조 전원의 고효율화와 소형화도 가능합니다.
SiC MOSFET 내장 AC-DC 컨버터 IC 「BM2SCQ12xT-LBZ」의 특징
BM2SCQ12xT-LBZ는 SiC MOSFET 내장을 위해 개발된 전용 패키지를 채용하여 SiC MOSFET 구동용 게이트 드라이브 회로 등 산업기기의 보조 전원용에 최적화된 제어 회로와 1700V 내압 SiC MOSFET를 내장하고 있습니다. 하기의 특징으로, 교류 400V 산업기기의 소형화, 신뢰성 향상, 저전력화 실현이 용이합니다.
1. 최대 12개의 부품과 방열판을 1패키지에 집약하여, 대폭적인 부품수 삭감과 소형화 실현
2. 개발 공수와 고장률을 저감하고, 필요한 보호 기능 탑재
기존의 디스크리트 구성을 1패키지화함으로써, 각 부품 및 SiC MOSFET의 선정, 평가, 설계에 대한 개발 공수를 삭감할 수 있으며, 부품수가 적어짐에 따라 신뢰성이 향상됩니다. 또한, SiC MOSFET를 내장함으로써 고정밀도의 온도 보호를 실현할 수 있으며, 과부하 보호 및 전원 단자의 과전압 보호, 과전류 보호, 2차측 전압의 과전압 보호 등 각종 보호 기능을 탑재하고 있습니다.
3. SiC MOSFET의 성능을 최대화하여, 대폭적인 저전력화 실현
<라인업>
품명 | 전원전압 범위 |
통상 시 동작전류 |
Burst 시 동작전류 |
최대 동작 주파수 |
FB OLP | VCC OVP | 동작온도 범위 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BM2SCQ121T-LBZ | VCC : 15.0V ~ 27.5V DRAIN : 1700V (Max.) |
2000μA (Typ.) | 500μA (Typ.) | 120kHz (Typ.) | Auto Restart |
Latch | -40℃ ~ 105℃ |
BM2SCQ122T-LBZ | Latch | Latch | |||||
BM2SCQ123T-LBZ | Auto Restart |
Auto Restart |
|||||
BM2SCQ124T-LBZ | Latch | Auto Restart |
상기 제품은 부품 유통 사이트에서도 구입 가능합니다.
또한, SiC MOSFET를 내장하지 않은 컨트롤러 타입의 「BD7682FJ-LB」도 구비하고 있으므로, 참조하여 주십시오.
※본 기사는 2019년 8월 시점의 내용입니다.
기술 자료 및 셀렉션 가이드 등 다운로드 자료를 구비하고 있습니다.
기술 자료 및 셀렉션 가이드 등 다운로드 자료를 구비하고 있습니다.