업계 최고의 저 ON 저항을 실현한 제4세대 SiC MOSFET 개발：업계 최고의 저 ON 저항을 실현한 제4세대 SiC MOSFET 개발

로옴은 메인 인버터를 비롯한 오토모티브 파워 트레인 시스템 및 산업기기용 전원에 최적인 「1200V 제4세대 SiC MOSFET」를 개발하였습니다. 제4세대 SiC MOSFET는 업계 최고*의 저 ON 저항을 실현하여, 차세대 전동차 (xEV)의 고효율 및 소형 · 경량화된 전동 시스템, 구동의 중심을 담당하는 메인 인버터 시스템의 소형 · 고효율화 및, 전기자동차 (EV)의 배터리 용량 증가에 따른 충전 시간의 단축, 배터리 고전압화 (800V) 등에 대한 대응이 기대되고 있습니다. 현재, 베어 칩의 샘플 공급이 가능합니다. *2020년 6월 17일 로옴 조사

로옴은 2015년에 세계 최초로 독자적인 트렌치 구조를 채용한 SiC MOSFET의 양산화에 성공하고, 지속적으로 SiC 파워 디바이스의 성능 향상을 추진하고 있습니다. ON 저항의 저감은 트레이드 오프 관계인 단락 내량 시간이 단축된다는 과제가 있었습니다. 그러나, 이번에 개발한 제4세대 SiC MOSFET는, 독자적인 더블 트렌치 구조를 더욱 진화시킴으로써, 단락 내량 시간을 악화시키지 않고, 기존품 대비 단위 면적당 ON 저항을 약 40％ 저감하는데 성공하였습니다.

일반적으로 MOSFET는 저 ON 저항화 및 대전류화를 추진하게 되면, 각종 기생 용량이 증가하는 경향이 있습니다. 기생 용량이 증가하면 스위칭 손실이 증가하므로, 본래 SiC가 지닌 고속 스위칭 동작이 제한됩니다. 반면에, 제4세대 SiC MOSFET는 게이트 – 드레인 용량 (CGD)을 대폭 삭감함으로써, 기존품 대비 스위칭 손실을 약 50％ 저감하였습니다.