반도체 메모리|기초편

디바이스 원리 <DRAM>

메모리 셀 구성

1 트랜지스터, 1 캐패시터로 구성

1 트랜지스터, 1 캐패시터로 구성

데이터 쓰기 방법

<”1″의 경우 >

  1. Word선 전위를 high
  2. Bit선 전위를 high
  3. Word선 전위를 low
데이터 쓰기 방법