반도체 메모리란?

반도체 메모리란?
반도체 메모리란, 반도체 회로를 전기적으로 제어함으로써, 데이터를 기억하는 역할을 담당하는 반도체 회로 장치입니다.
디바이스 원리 ＜DRAM＞
DRAM의 메모리 셀 구성은 트랜지스터 1개, 콘덴서 1개로 구성되어 있습니다.
디바이스 원리 ＜SRAM＞
SRAM의 메모리 셀 구성은 저소비전력 제품의 경우 6 트랜지스터 셀, 고밀도 제품의 경우 4 트랜지스터 셀로 구성되어 있습니다.
디바이스 원리 ＜Mask ROM＞
Mask ROM의 메모리 셀 구성은 고집적화를 위한 NAND 구성입니다. (1 트랜지스터 셀)
디바이스 원리 ＜EEPROM＞
EEPROM의 메모리 셀은, 메모리 트랜지스터와 선택 트랜지스터의 2 트랜지스터 셀로 구성되어 있습니다.
디바이스 원리 ＜FLASH＞
플래시 메모리의 최소 룰을 F로 가정할 때 1bit 당 면적은 NAND 타입 4F2, NOR 타입 10F2입니다.

인터페이스 선정 방법
시리얼 EEPROM의 일반적인 인터페이스는 Microwire, SPI, I²C의 3가지입니다.
단자 배치와 단자 기능
시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스에 대해, 각각의 단자 배치와 기능을 설명하고 있습니다.
커맨드 비교
시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스에 대해, 각각의 커맨드를 표로 정리하였습니다.
EEPROM 복수개 사용 시의 구성 예 ＜I²C＞
시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스 중, I²C를 여러 개 사용 할 경우의 구성 예를 그림으로 설명하고 있습니다.
EEPROM 복수개 사용 시의 구성 예＜SPI＞
시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스 중, SPI를 여러 개 사용 할 경우의 구성 예를 그림으로 설명하고 있습니다.
EEPROM 복수개 사용 시의 구성 예＜Microwire＞
시리얼 EEPROM의 일반적인 3가지 인터페이스 중, Microwire를 여러 개 사용 할 경우의 구성 예를 그림으로 설명하고 있습니다.

기초편