AC-DC|설계편
주요 부품 선정 : 전류 검출 저항 및 각 검출용 단자 관련 부품
2021.03.10
키 포인트
・각 검출용 단자에 필요한 부품은 데이터시트 및 설계 매뉴얼에 따라 설정한다.
・검출용 단자에 노이즈가 유입되면 오동작 등의 원인이 되므로, 콘덴서나 RC 필터의 추가를 검토한다.
이번에는 전원 IC가 강압 및 안정화 제어를 실행하기 위해 각 검출용 단자에 필요한 부품에 대해 설명하겠습니다.
전류 검출 저항 : R19
R19는 스위칭 트랜지스터 Q1을 통해 1차측에 흐르는 전류를 전압으로 변환합니다. 이 전압은 CS 단자에서 모니터링하여, 출력의 과부하 보호 포인트를 설정합니다. R19의 값은 1차측의 최대 전류 Ippk (0.66A)가 흐를 때 CS 단자의 과전류 검출 전압 Vcs=1V가 되도록 합니다.
→ 1.5Ω으로 한다.
또한, R19의 손실 P_R19는 하기와 같습니다.
![]()

펄스 내성을 고려하여, R19는 1W 이상으로 합니다.
펄스 내성의 경우, 동일 전력정격에서도 저항의 구조 등에 따라 달라지는 경우가 있으므로, 사용하는 저항 메이커에 확인하여 주십시오.
CS 단자 노이즈 보호용 저항 및 콘덴서 : R22, C13
블랭킹 기능으로 노이즈가 충분히 억제되지 않는 경우, RC 필터를 추가합니다. 필터가 필요하지 않은 경우에도, 서지 대책으로서 R22 (1kΩ 정도)를 삽입하는 것을 권장합니다. C13은 47pF 정도입니다.
ZT 단자 전압 설정 저항 : R21
R21은 ZT 단자에서의 bottom 검출 전압을 설정합니다. ZT 단자에서의 bottom 검출 전압은 Vzt1=100mV typ. (ZT 단자 전압 강하 시), Vzt2=200mV typ. (ZT 단자 전압 상승 시)입니다. 또한, ZTOVP(min)=3.30V이므로 기준치로서 Vzt=1~3V 정도로 설정합니다. R20은 「과부하 보호 포인트의 전환 설정 저항」 편에서 100kΩ으로 설정하였습니다. 권선수는 「트랜스 T1의 설계 -제2장-」 편에서 산출한 바와 같이 Nd, Ns 모두 8턴입니다.
로 설정하면,
→ 12kΩ으로 한다.
ZT 단자 콘덴서 : C11
C11은 ZT 단자의 안정용과 bottom 검출 타이밍 조정용 콘덴서입니다. ZT 단자 파형, bottom 검출 타이밍을 확인하여 설정합니다. 본 회로 예에서는 47pF을 선택하였습니다.
FB 단자 콘덴서 : C12
C12는 FB 단자의 안정용 콘덴서입니다. 권장치는 1000pF~0.01µF 정도입니다. 본 회로 예에서는 2200pF을 선택하였습니다.
AC-DC
기초편
- AC-DC의 기본
- 평활 후의 DC-DC 변환 (안정화) 방식이란?
- AC-DC 변환 회로 설계 순서 (개요)
- AC-DC 변환 회로 설계의 과제와 검토 사항
- 정리
- 플러스 알파의 기초 지식
설계편
-
AC-DC PWM 방식 플라이백 컨버터의 설계 방법 개요
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 스위칭 AC-DC 변환
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 플라이백 컨버터의 특징
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 플라이백 컨버터의 동작과 스너버
- 절연형 플라이백 컨버터의 기본 : 불연속 모드와 연속 모드
- 전원 사양 결정
- 설계 순서
- 설계에 사용할 IC의 선택
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (수치 산출)
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (구조 설계) -제1장-
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:트랜스 설계 (구조 설계) -제2장-
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:주요 부품 선정 – MOSFET 관련 제1장
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:주요 부품 선정 – MOSFET 관련 제2장
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계:주요 부품 선정 – CIN과 스너버
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : 주요 부품 선정 – 출력 정류기와 Cout
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : 주요 부품 선정 – IC의 VCC 관련
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : 주요 부품 선정 – IC의 설정, 기타
- 절연형 플라이백 컨버터 회로 설계 : EMI 대책 및 출력 노이즈 대책
- 기판 레이아웃 예
- 정리
- AC-DC 비절연형 벅 컨버터의 설계 사례 개요
-
SiC-MOSFET를 사용한 절연형 의사 공진 (Quasi-Resonant) 컨버터의 설계 사례
- 설계에 사용하는 전원 IC : SiC-MOSFET용으로 최적화
- 설계 사례 회로
- 트랜스 T1의 설계 -제1장-
- 트랜스 T1의 설계 -제2장-
- 주요 부품 선정 : MOSFET Q1
- 주요 부품 선정 : 입력 콘덴서 및 밸런스 저항
- 주요 부품 선정 : 과부하 보호 포인트의 전환 설정 저항
- 주요 부품 선정 : 전원 IC의 VCC 관련 부품
- 주요 부품 선정 : 전류 검출 저항 및 각 검출용 단자 관련 부품
- 주요 부품 선정 : EMI 및 출력 노이즈 대책 부품
- 기판 레이아웃 예
- 주요 부품 선정 : 전원 IC의 BO (브라운 아웃) 핀 관련 부품
- 사례 회로와 부품 리스트
- 평가 결과 : 효율과 스위칭 파형
- 정리
- 주요 부품 선정 : 출력 정류 다이오드
- 주요 부품 선정 : 스너버 회로 관련 부품
- 주요 부품 선정 : 출력 콘덴서, 출력 설정 및 제어 부품
- 주요 부품 선정 : MOSFET 게이트 구동 조정 회로
-
AC/DC 컨버터의 효율을 향상시키는 2차측 동기정류 회로의 설계
- 동기정류 회로부 : 주변 회로 부품 선정 - MAX_TON 단자의 C1과 R3, 및 VCC 단자
- 션트 레귤레이터 회로부 : 주변 회로 부품 선정
- 설계 순서
- 설계에 사용하는 IC
- 전원 사양과 대체 회로
- 동기정류 회로부 : 동기정류용 MOSFET 선정
- 동기정류 회로부 : 전원 IC 선택
- 동기정류 회로부 : 주변 회로 부품 선정 - 드레인 단자의 D1, R1, R2
- 트러블 슈팅 ① : 2차측 MOSFET가 갑자기 OFF되는 경우
- 트러블 슈팅 ② : 경부하 시 2차측 MOSFET가 공진 동작으로 인해 ON되는 경우
- 트러블 슈팅 ③ : 서지의 영향으로 VDS2가 2차측 MOSFET의 VDS 내압 이상이 되는 경우
- 다이오드 정류와 동기정류의 효율 비교
- 실장 기판 레이아웃에 관한 주의점
- 정리
평가편
제품 정보
