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트랜지스터/다이오드
트랜지스터
트랜지스터
기초편
평가편
기초편
서론
트랜지스터란? – 분류와 특징
MOSFET란? – 기생 용량과 그 온도 특성
MOSFET란? – 스위칭 특성과 그 온도 특성
MOSFET의 임계치, ID-VGS 특성과 온도 특성
MOSFET란? – Super Junction MOSFET
MOSFET란? – 고내압 Super Junction MOSFET의 종류와 특징
MOSFET란? – 고속 trr SJ-MOSFET : PrestoMOS™
MOSFET 사양에 관한 용어집
MOSFET의 열저항과 허용 손실 : 이면 방열이 가능한 패키지
실제 동작에서 트랜지스터의 적합성 확인 : 서론
실제 동작에서의 적합성 확인과 준비
절대 최대 정격 이내인지 확인
SOA (안전 동작 영역) 이내인지 확인
사용 주위 온도에서 마진 확보한 SOA 이내인지 확인
정리
평균 소비전력이 정격전력 이내인지 확인
칩 온도 확인
정리
플러스 알파의 기초 지식
트랜지스터
아웃라인
트랜지스터 이해하기
디지털 트랜지스터란?
디지털 트랜지스터의 선정
ON 저항
게이트 총전하량 (Qg)
안전하게 사용하기 위한 선정 방법
소자 온도 계산 방법
로드 스위치
평가편
LLC 컨버터에서 1차측 스위칭 소자 리커버리 특성의 중요성
LLC 컨버터의 기본 구성
LLC 컨버터 동작의 특징
LLC 컨버터의 기본 동작
LLC 컨버터의 공진 이탈 (Off-resonance)에 대한 MOSFET 리커버리 특성의 중요성
LLC 컨버터에서 1차측 스위칭 소자 리커버리 특성의 중요성 : 정리
인버터 회로에서 스위칭 소자 역회복 특성의 중요성
인버터 회로의 종류와 통전 방식
3상 변조 인버터 회로의 기본 동작
더블 펄스 시험을 통한 PrestoMOS™와 일반적인 SJ MOSFET의 손실 비교 (실제 측정 결과)
3상 변조 인버터 회로를 통한 PrestoMOS™와 일반적인 SJ MOSFET의 효율 비교 (시뮬레이션)
인버터 회로에서 스위칭 소자 역회복 특성의 중요성 : 정리
더블 펄스 시험이란?
더블 펄스 시험을 통한 리커버리 특성 평가
셀프 turn-on 발생 원리
정리
Phase Shift Full Bridge 회로의 전력 변환 효율 향상 : 서론
PSFB 회로의 기본 구성
PSFB 회로의 기본 동작
경부하 시 스위칭 소자의 동작에 관한 주의점
중부하 시 스위칭 소자의 동작에 관한 주의점
효율의 평가
Phase Shift Full Bridge 회로의 전력 변환 효율 향상 : 정리
MOSFET의 파괴 메커니즘
SOA (Safety Operation Area) 파괴
Avalanche 파괴
dV/dt 파괴
MOSFET의 파괴 메커니즘 : 정리
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