SiC 파워 디바이스｜응용편
SiC MOSFET 게이트 – 소스 전압 측정 : 정리
2024.08.09
SiC MOSFET 게이트 – 소스 전압 측정 : 정리
지금까지 SiC MOSFET를 사용한 브릿지 회로를 예로 들어, 게이트 – 소스 전압 측정 시의 주의점에 대해 설명하였습니다. 정확한 측정을 위한 주의점은 하기와 같습니다.
- ・프로브 장착 방법은 프로브의 헤드부가 형성하는 루프를 가능한 작게 억제해야 한다.
- ・SiC MOSFET의 측정 위치 선정 시에는 SiC MOSFET의 측정 단자와 형성되는 루프가 가능한 작아지는 위치를 선정한다.
- ・프로브 헤드의 설치 위치는 메인 회로의 자속 변화로 인한 영향이 최대한 작은 위치에 설치한다.
이번 검증에서는 「연장 케이블 ＋ 댐핑 저항」을 사용하여 디바이스의 단자 바로 밑에서 측정함으로써, 본래의 파형에 가장 가까운 관측이 가능했습니다. 그러나, 회로 구성이나 배선에 따라 최선의 방책은 달라지므로, 본 테마에서 확인한 경향을 염두에 두고 각각의 상황에 맞추어 대응해야 합니다.