SiC 쇼트키 배리어 다이오드 Bare Die

기초편

• 서론
• 실리콘 카바이드란? ＋
  • SiC 파워 디바이스의 개발 배경과 메리트
• SiC 쇼트키 배리어 다이오드란? : 서론 ＋
  • SiC-SBD란? － 특징과 Si 다이오드와의 비교
  • SiC-SBD란? – Si-PND와의 역회복 특성 비교
  • SiC-SBD란? – Si-PND와의 순방향 전압 비교
  • SiC-SBD의 진화
  • SiC-SBD 사용의 메리트
  • SiC-SBD란? – 신뢰성 시험에 대하여
• SiC-MOSFET란? － 특징 ＋
  • SiC-MOSFET란? – 파워 트랜지스터의 구조와 특징 비교
  • SiC-MOSFET란? – Si-MOSFET와의 차이점
  • SiC-MOSFET란?－IGBT와의 차이점
  • SiC-MOSFET란? – 바디 다이오드 특성
  • SiC-MOSFET란? – Trench 구조 SiC-MOSFET와 실제 제품
  • SiC-MOSFET란? – SiC-MOSFET의 활용 사례
  • SiC-MOSFET란? – SiC-MOSFET의 신뢰성
• Full SiC 파워 모듈이란? ＋
  • Full SiC 파워 모듈의 스위칭 손실
  • 활용 포인트 : 게이트 드라이브 -제1장-
  • 활용 포인트 : 전용 게이트 드라이버와 스너버 모듈의 효과
  • 활용 포인트 : 게이트 드라이브 -제2장-
  • 활용 포인트 : 스너버 콘덴서
• 정리

응용편

• SiC MOSFET : 스너버 회로의 설계 방법 ＋
  • 드레인 – 소스 사이에 발생하는 서지
  • 스너버 회로의 종류와 선정
  • Ｃ스너버 회로의 설계
  • RC 스너버 회로의 설계
  • 방전형 RCD 스너버 회로의 설계
  • 비방전형 RCD 스너버 회로의 설계
  • 패키지에 따른 서지 발생의 차이점
  • SiC MOSFET : 스너버 회로의 설계 방법 : 정리
• SiC MOSFET : 스위칭 파형에서 손실 산출 방법
• SiC MOSFET 게이트 – 소스 전압 측정 시의 주의점 : 일반적인 측정 방법 ＋
  • 프로브의 장착 방법
  • 측정 위치의 선정
  • 프로브 헤드부의 설치 위치
  • SiC MOSFET 게이트 – 소스 전압 측정 : 정리
  • 브릿지 구성에서의 주의점 : 프로브의 CMRR
• SiC MOSFET : 브릿지 구성에서의 게이트 – 소스 전압 동작 ＋
  • SiC MOSFET의 브릿지 구성
  • SiC MOSFET의 게이트 구동 회로와 Turn-on · Turn-off 동작
  • 브릿지 회로의 스위칭에 의해 발생하는 전류와 전압
  • Low-side 스위치 Turn-on 시의 게이트 – 소스 전압 동작
  • Low-side 스위치 Turn-off 시의 게이트 – 소스 전압 동작
  • 정리
• SiC MOSFET : 게이트 – 소스 전압의 서지 억제 방법 : 서론 ＋
  • 게이트 – 소스 전압에 발생하는 서지란?
  • 서지 억제 회로
  • 정전압 서지 대책
  • 부전압 서지 대책
  • 서지 억제 회로의 기판 레이아웃에 관한 주의점
  • SiC MOSFET : 게이트 – 소스 전압의 서지 억제 방법 : 정리
• 드라이버 소스 단자를 통한 스위칭 손실 개선 ＋
  • 기존 MOSFET의 구동 방법
  • 드라이버 소스 단자가 있는 패키지
  • 드라이버 소스 단자의 유무에 따른 차이와 효과
  • 드라이버 소스 단자의 효과 : 더블 펄스 시험을 통한 비교
  • 브릿지 구성 시, 게이트 – 소스 전압의 동작 : Turn-on 시
  • 브릿지 구성 시, 게이트 – 소스 전압의 동작 : Turn-off 시
  • 기판 배선 레이아웃에 관한 주의사항

제품 정보

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