엔지니어 칼럼

미들 파워 디바이스 신제품 개발 엔지니어 칼럼제4회 PMDE 패키지 채용을 통해 방열 성능을 향상시켜 소형화를 실현한 파워 다이오드

2022.08.03

안녕하세요. 로옴의 카타기리입니다. 이번에는 PMDE 패키지를 채용한 파워 다이오드의 신제품에 대해 소개하겠습니다.

먼저, PMDE 패키지의 개발 배경과 경위에 대해 간단히 설명하겠습니다. 전자기기의 소형화와 저전력화에 대한 요구는 전자기기를 구성하는 모든 부품에 해당됩니다. 물론 다이오드에 있어서도 마찬가지로 패키지의 소형화와 방열 성능의 향상이 요구되고 있습니다.

로옴은 평균 정류전류 I_O=1~2A 수준의 파워 다이오드에, PMDS 패키지 (DO-214AC / SMA 패키지 : 5.0×2.6×2.0mm), 그리고 PMDU 패키지 (SOD-123FL 패키지 : 3.5×1.6×0.8mm)를 채용해 왔습니다. 이번에 방열성을 높임으로써, 한층 더 소형화를 실현한 PMDE 패키지 (2.5×1.3×0.95mm)를 채용한 다이오드 제품 라인업을 다수 구비하였습니다.

그림 1. 방열 성능 향상으로 전류정격을 그대로 유지함과 동시에 대폭적인 소형화를 실현한 PMDE 패키지

PMDE 패키지는 하면 전극 구조를 통해 방열 성능을 향상시킴으로써, 현재 I_O=1A 클래스에서 주류인 PMDU 패키지와 동등한 방열 성능을 실현하였습니다. 이에 따라 PMDU 패키지의 방열 성능을 유지함과 동시에, Footprint 사이즈를 40% 삭감할 수 있게 되었습니다. 그리고, 이러한 소형 고성능 PMDE 패키지를 채용한 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD), 패스트 리커버리 다이오드 (FRD), Transient Voltage Suppressor (TVS)의 신제품을 개발하였습니다.

PMDE 패키지를 채용한 파워 다이오드 제품

디바이스	시리즈명	특징 / 용도	주요 정격
SBD	RBxx8 시리즈	・초저 I_R ・자동차, 산업기기, 각종 전원과 같은 어플리케이션의 고온 환경에서의 사용에 최적 ・열 폭주의 우려를 저감하여, 고신뢰화에 기여	I_O=1A~2A V_R=30V~150V
SBD	RBR 시리즈	・Low V_F ・AC-DC, DC-DC 회로의 2차측 정류, 프리휠, 역접속 보호 용도에 최적 ・정류 시의 소비전력이 작아, 저전력화에 기여	I_O=1A~2A V_R=30V~60V
FRD	RFN1VWM2S	・고속 스위칭 성능, Low V_F ・가전 PFC 회로 및 차량용 OBC 등 2차 정류용에 최적 ・스위칭 전원의 고효율화, 저손실화에 기여	I_O=1A V_R=200V
TVS	VSxxVUA1VWM 시리즈	・기존의 PMDU 패키지와 동등한 200W (10/1000μs) 보증 ・자동차, 산업기기, 민생기기의 서지 전압, ESD 보호 용도에 최적 ・서지 전압으로 인한 제품의 파괴 우려를 저감하여, 고신뢰화에 기여	내압 랭크 5~33V 33~150V 제품 개발중

※상기 제품은 2021년 시점의 내용입니다. PMDE 패키지를 채용한 파워 다이오드 제품은 지속적으로 라인업을 확충하고 있습니다. 관련 최신 정보는 하기 로옴 홈페이지를 참조하여 주십시오.

https://www.rohm.co.kr/news-detail?news-title=2022-03-08_news_pmde&defaultGroupId=false

앞으로도 소형화와 고효율화를 동시에 달성하여, 저전력화를 실현하는 제품을 지속적으로 개발할 예정이므로, 많은 관심 부탁드립니다.

※이 기사는 2021년 2월 시점의 내용입니다.

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기기의 저전력화 및 고효율화에 대응하여 진화를 거듭하는 실리콘계 파워 디바이스에 대해 정리한 자료입니다. 다이오드, MOSFET의 기초 및 선택 방법, 최신 디바이스의 특성, 어플리케이션 사례가 게재되어 있습니다.

제4회 PMDE 패키지 채용을 통해 방열 성능을 향상시켜 소형화를 실현한 파워 다이오드

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